报告摘要

硅探测器近年来在高能物理、核物理、空间探测、医学物理等领域得到广泛应用。然而，硅探测器运行在强辐照环境通常需要庞杂的低温系统，且随着辐照剂量增加，探测性能也随之下降。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，相比硅具有禁带宽、原子位移阈能高、导热率高以及载流子饱和漂移速度快等优点，有潜力成为下一代抗辐照、耐高温的高时间分辨探测器。本报告以欧洲核子中心大型强子对撞机上ATLAS 实验的硅探测器升级为背景，介绍在国际半导体探测器研究合作组（DRD3）宽禁带半导体与新材料探测器工作组（WG6）框架下，正在推进的低增益雪崩碳化硅 （SiC-LGAD）作为高能粒子快时间探测器的研究项目进展。

嘉宾简介

史欣，2001年本科毕业于山东大学物理系；2004年获得北京大学技术物理系硕士学位；2011年获得美国康奈尔大学博士学位。2011年至2015年博士后分别在台湾大学（常驻瑞士日内瓦欧洲核子中心CERN）和美国普渡大学。从2002年至今，参与了北京正负电子对撞机、康奈尔正负电子对撞机和欧洲核子中心的大型强子对撞机上的实验，开展物理分析与半导体探测器研制。2015年入选中科院人才计划，2016年入选国家人才计划。现为中科院高能所副研究员，负责中国组ATLAS实验硅微条探测器升级项目。同时作为国际抗辐照半导体探测器合作组（DRD3）宽禁带半导体工作组（WG6）负责人开展碳化硅探测器的研发。