金刚石以其卓越的物理和电学性能，被誉为“终极半导体”材料，在功率电子、射频器件、量子信息等前沿领域具有广阔应用前景。

2英寸单晶金刚石

2018年，年过八旬的邹广田院士率领团队赴珠海，成立高压与超硬材料全国重点实验室分室，聚焦CVD金刚石的重大应用研究。经过持续攻关，团队在单晶金刚石生长工艺、高品质控制及晶圆剥离等方面取得多项原创性突破：一是发现“单晶生长区”，实现无边缘多晶伴生稳定生长；二是揭示“一致台阶流”对籽晶拼接缝平滑过渡的关键作用，简化工艺、降低成本；三是联合研发激光隐形切割技术，成功剥离厚度350微米的自支撑单晶金刚石晶圆，尺寸与结晶质量均达到国内外先进水平。

近年来，团队先后承担广东省重点领域研发计划、工信部重点项目、海南省重点专项等，累计科研经费达5000万元，建成国内首台30kW、2.45GHzMPCVD金刚石生长设备，成功生长出6英寸多晶金刚石膜，平均生长速率达12μm/h，良品率超70%；已具备批量制备1英寸单晶金刚石能力，技术成熟度达7级。在纯度控制方面，团队研发出杂质俘获与位错湮灭技术，使氮、硅杂质浓度低于PL及XPS光谱探测极限，氮杂质浓度小于5ppb，达到国际领先水平，与元素六公司产品相当。

随着大尺寸、高纯度单晶金刚石制备技术的不断成熟，金刚石材料正从“未来材料”逐步走向新一代信息技术、高端装备、生物医疗等领域创新发展的“核心材料”，其产业化进程与应用拓展迎来关键机遇期。